Elaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfo
DOI:
https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i1.442Resumen
En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de silicio amorfo. Las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).
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Derechos de autor 1999 TECNIA
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