Mediciones espectrales Fotoacústicas(pas) de películas semiconductoras de Silicio Amorfo
DOI:
https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i2.323Resumen
En este trabajo se presenta el resultado de la caracterización fotoacústica (PAS) de películas finas de silicio amorfo mediante mediciones espectrales de transmisión y absorción. En base a muestras semiconductoras obtenidas por el método de descarga plasmática reactivo se obtienen los parámetros ópticos del material (índice de refracción y coeficientes de absorción) en un amplio rango espectral, en buena correspondencia con evaluaciones previas . Determinándose así finalmente la energía del cuasi gap (Tauc) y el modelo de bandas del semiconductor de a-Si:H.
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Citas
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