Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films

Authors

  • Enver Fernández Chillcce Universidad Nacional de Ingeniería, Facultad de Ciencias, Lima, Perú
  • Carmen Eyzaguirre Gorvenia Universidad Nacional de Ingeniería, Facultad de Ciencias, Lima, Perú
  • Aníbal Valera Palacios Universidad Nacional de Ingeniería, Facultad de Ciencias, Lima, Perú
  • Guido Castillo Universidad Nacional de Ingeniería, Facultad de Ciencias, Lima, Perú
  • Mauro Lomer Universidad de Cantabria, Santander, España

DOI:

https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i2.323

Abstract

In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.

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References

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Published

1999-12-01

How to Cite

[1]
E. Fernández Chillcce, C. Eyzaguirre Gorvenia, A. Valera Palacios, G. Castillo, and M. Lomer, “Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films”, TECNIA, vol. 9, no. 2, Dec. 1999.

Issue

Vol. 9 No. 2 (1999)

Section

Articles

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