Láseres semiconductores
DOI:
https://doi.org/10.21754/revciuni.v15i1.2658Palabras clave:
semiconductorsResumen
En este curso corto, describimos de forma sencilla la física de los láseres semiconductores. Tras algunos recordatorios sobre la física básica del estado sólido y los estados electrónicos en semiconductores, se analizó cómo un semiconductor puede emitir luz. La unión p-n es el mecanismo básico para obtener la inversión de población necesaria para la ganancia de emisión estimulada. Presentamos los principios y ecuaciones fundamentales que rigen la ganancia óptica en estas estructuras. A continuación, se determinaron las condiciones umbral y se analizaron históricamente las diversas mejoras con respecto a la unión p-n básica (láser de doble heteroestructura, láser de pozo cuántico). A continuación, se ilustró la variedad de láseres semiconductores con algunos ejemplos: láseres de retroalimentación distribuida (DFB), láseres de reflector Bragg distribuido (DBR) y láseres de modo bloqueado (MLL). Finalmente, se intentó poner en perspectiva algunos láseres semiconductores avanzados, en particular los láseres de punto cuántico.
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"Diode lasers and Photonic Integrated Circuits", L. Coldren and S. Corzine, Ed. Wiley 1995.
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