Espintrónica, la electrónica del espín

Autores/as

  • Elmer Monteblanco SPINTEC. Francia.
  • Christian Ortiz Pauyac MSc y Lic. en Física, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Physical Science and Engineering Division, Saudi Arabia.
  • Williams Savero MSc en Física, NM/SP2M/INAC/CEA/UJF-Grenoble, Francia.
  • J. Carlos Rojas Sanchez PhD en Física, NM/SP2M/INAC/CEA/UJF-Grenoble, Francia, France
  • A. Schuhl Univ. Grenoble, CNRS, Inst. NEEL F38052Grenoble, France.

DOI:

https://doi.org/10.21754/tecnia.v23i1.62

Palabras clave:

Espintrónica, Magnetorresistencia, GMR, TMR, MRAM, Nano-osciladores, dinámica de magnetización Efecto Hall de spin, Transferencia de torque de spin

Resumen

En la actualidad el desarrollo de la tecnología nos ha conducido a elaborar dispositivos nanométricos capaces de almacenar y procesar información. Estos dispositivos serían difíciles de imaginar en la electrónica, la cual se basa en la manipulación de la carga eléctrica del electrón. Sin embargo, gracias a los avances en la física teórica y experimental en el campo de la materia condensada, estos dispositivos ya son una realidad, perteneciendo a lo que actualmente se denomina la electrónica del espín o espintrónica, la cual basa su funcionalidad en el control del espín del electrón, una propiedad que sólo puede ser concebida a nivel cuántico. En el presente artículo revisaremos esta nueva perspectiva, describiendo la Magnetorresistencia Gigante y de Efecto Túnel, la transferencia de momento de espín y sus respectivas aplicaciones como son las memorias MRAM, nano-osciladores y válvulas laterales de espín. 

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Citas

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Publicado

2013-06-01

Cómo citar

[1]
E. Monteblanco, C. Ortiz Pauyac, W. Savero, J. C. Rojas Sanchez, y A. Schuhl, «Espintrónica, la electrónica del espín», TECNIA, vol. 23, n.º 1, pp. 5–16, jun. 2013.

Número

Sección

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