Espintrónica, la electrónica del espín

  • Elmer Monteblanco SPINTEC. Francia.
  • Christian Ortiz Pauyac King Abdullah University of Science and Technology, Physical Science and Engineering Divisio. Saudi Arabia.
  • Williams Savero
  • J. Carlos Rojas Sanchez
  • A. Schuhl University Grenoble. France
Palabras clave: Espintrónica, Magnetorresistencia, GMR, TMR, MRAM, Nano-osciladores, dinámica de magnetización Efecto Hall de spin, Transferencia de torque de spin

Resumen

En la actualidad el desarrollo de la tecnología nos ha conducido a elaborar dispositivos nanométricos capaces de almacenar y procesar información. Estos dispositivos serían difíciles de imaginar en la electrónica, la cual se basa en la manipulación de la carga eléctrica del electrón. Sin embargo, gracias a los avances en la física teórica y experimental en el campo de la materia condensada, estos dispositivos ya son una realidad, perteneciendo a lo que actualmente se denomina la electrónica del espín o espintrónica, la cual basa su funcionalidad en el control del espín del electrón, una propiedad que sólo puede ser concebida a nivel cuántico. En el presente artículo revisaremos esta nueva perspectiva, describiendo la Magnetorresistencia Gigante y de Efecto Túnel, la transferencia de momento de espín y sus respectivas aplicaciones como son las memorias MRAM, nano-osciladores y válvulas laterales de espín. 

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W. Savero, por publicarse

Publicado
2013-06-01
Cómo citar
[1]
E. Monteblanco, C. Ortiz Pauyac, W. Savero, J. Rojas Sanchez, y A. Schuhl, «Espintrónica, la electrónica del espí»n, tecnia, vol. 23, n.º 1, pp. 5-16, jun. 2013.
Sección
Artículos