Elaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfo

Autores/as

  • Enver Fernández Chillcce Laboratorio de Óptica, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Ingeniería. Lima, Perú.
  • Carmen Eyzaguirre Gorvenia Laboratorio de Óptica, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Ingeniería. Lima, Perú.
  • Aníbal Valera Palacios Laboratorio de Óptica, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Ingeniería. Lima, Perú.

DOI:

https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i1.442

Resumen

En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de silicio amorfo. Las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).

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Citas

[1] Heavens O.S. "Optical properties of Thin Solid Films" Butterworths Scientific Publ. London. 1955

[2] Valera A., Eyzaguirre C. "Óptica Física" Ed. Hozlo, 420 págs., Nov. 97, Lima

[3] Swanepoel R. "Determination of the Thinckness and optical constants of amorphous silicon" J.Phys. E: Sci. Instrum., Vol. 16, London 1983

[4] Valera A. y Col "Elaboración y propiedades de Películas Delgadas de Silicio amorfo por PAT" TECNIA, Vol. 6, N° 1, págs. 69 - 71, Lima 1996.

[5] Wright, D.A. "Semi-conductors" Science perpbacks & Methuen

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Publicado

1999-06-01

Cómo citar

[1]
E. Fernández Chillcce, C. Eyzaguirre Gorvenia, y A. Valera Palacios, «Elaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfo», TEC, vol. 9, n.º 1, pp. 69–79, jun. 1999.

Número

Sección

Artículos

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