Celdas Solares de películas delgadas en base a Óxidos Semiconductores: Ti3O5, Bi2O0
DOI:
https://doi.org/10.21754/tecnia.v10i2.463Resumen
En este trabajo se presentan los primeros resultados de la elaboración y caracterización de celdas solares de películas delgada en base a óxido semiconductores: Unión Schottky Oxido de Titanio (Ti3O5) y Aluminio (A1), Unión pn Oxido de Bismuto (Bi2O3) y Oxido de cobre (Cu2O). Las películas de óxido de titanio (p) fueron elaboradas por el Método de evaporación al vacío. Las películas de óxido de titanio (p) fueron elaboradas por tratamiento térmico de capas de Bismuto evaporadas al vacío. Se presentan los resultados de las mediciones efectuadas en las películas semiconductoras de óxido de titanio y óxido de Bismuto y la eficiencia cuántica espectral resultante de las celdas solares construidas. Finalmente se presenta la interpretación teórica de los resultados observados.
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