MEDICIONES ESPECTRALES FOTOACÚSTICAS(PAS) DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE SILICIO AMORFO

  • Enver Fernández Chillcce
  • Carmen Eyzaguirre Gorvenia
  • Aníbal Valera Palacios
Palabras clave: espectrales, películas, silicio

Resumen

En este trabajo se presenta el resultado de la caracterización fotoacústica (PAS) de películas finas de silicio amorfo mediante mediciones espectrales de transmisión y absorción. En base a muestras semiconductoras obtenidas por el método de descarga plasmática reactivo se obtienen los parámetros ópticos del material (índice de refracción y coeficientes de absorción) en un amplio rango espectral, en buena correspondencia con evaluaciones previas . Determinándose así finalmente la energía del cuasi gap (Tauc) y el modelo de bandas del semiconductor de a-Si:H.

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Publicado
1999-12-01
Cómo citar
[1]
E. Fernández Chillcce, C. Eyzaguirre Gorvenia, y A. Valera Palacios, MEDICIONES ESPECTRALES FOTOACÚSTICAS(PAS) DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE SILICIO AMORFO, tecnia, vol. 9, n.º 2, dic. 1999.
Sección
Artículos generales

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